引用本文:
【打印本页】   【HTML】   【下载PDF全文】   查看/发表评论  【EndNote】   【RefMan】   【BibTex】
←前一篇|后一篇→ 过刊浏览    高级检索
本文已被:浏览 1220次   下载 775 本文二维码信息
码上扫一扫!
分享到: 微信 更多
两步化学气相沉积法制备In2Se3/MoSe2范德华尔斯异质结
陈玉林,李铭领,吴一鸣,李思嘉,林岳,杜冬雪,丁怀义,潘楠*,王晓平*
作者单位E-mail
陈玉林 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026  
李铭领 中国科学技术大学物理系, 合肥 230026  
吴一鸣 中国科学技术大学物理系, 合肥 230026  
李思嘉 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026  
林岳 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026  
杜冬雪 中国科学技术大学物理系, 合肥 230026  
丁怀义 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026  
潘楠* 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026;中国科学技术大学物理系, 合肥 230026;中国科学技术大学, 量子信息与量子科技前沿协同创新中心, 合肥 230026;中国科学技术大学, 中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室, 合肥 230026 npan@ustc.edu.cn 
王晓平* 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家实验室, 合肥 230026;中国科学技术大学物理系, 合肥 230026;中国科学技术大学, 量子信息与量子科技前沿协同创新中心, 合肥 230026;中国科学技术大学, 中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室, 合肥 230026 xpwang@ustc.edu.cn 
摘要:
关键词:  
DOI:10.1063/1674-0068/30/cjcp1704063
分类号:
基金项目:This work was supported by the Ministry of Science and Technology of China (No.2016YFA0200602),the National Natural Science Foundation of China (No.21421063,No.11374274,No.11404314,No.11474260,No.11504364),the Chinese Academy of Sciences (XDB01020200),and the Fundamental Research Funds for the Central Universities (WK2030020027,WK2060190027).
Two Step Chemical Vapor Deposition of In2Se3/MoSe2 van der Waals Heterostructures
Yu-lin Chen,Ming-ling Li,Yi-ming Wu,Si-jia Li,Yue Lin,Dong-xue Du,Huai-yi Ding,Nan Pan*,Xiao-ping Wang*
Abstract:
Two-dimensional transition metal dichalcogenides heterostructures have stimulated wide interest not only for the fundamental research,but also for the application of next generation electronic and optoelectronic devices.Herein,we report a successful two-step chemical vapor deposition strategy to construct vertically stacked van der Waals epitaxial In2Se3/MoSe2 heterostructures.Transmission electron microscopy characterization reveals clearly that the In2Se3 has well-aligned lattice orientation with the substrate of monolayer MoSe2.Due to the interaction between the In2Se3 and MoSe2 layers,the heterostructure shows the quenching and red-shift of photoluminescence.Moreover,the current rectification behavior and photovoltaic effect can be observed from the heterostructure,which is attributed to the unique band structure alignment of the heterostructure,and is further confirmed by Kevin probe force microscopy measurement.The synthesis approach via van der Waals epitaxy in this work can expand the way to fabricate a variety of two-dimensional heterostructures for potential applications in electronic and optoelectronic devices.
Key words:  van der Waals heterostructures  Chemical vapor deposition  In2Se3/MoSe2  Kevin probe force microscopy  n+-n junction